6月3日，据兆易创新公告显示，兆易创新首款自有品牌DRAM产品正式发布。这款产品是兆易创的品牌4Gb DDR4产品——GDQ2BFAA系列，目前已量产，实现了从设计、流片，到封测、验证的全国产化，助力国产自主供应生态圈的发展构建。兆易创新表示，产品在满足消费类市场强劲需求的同时，助力国产自主供应生态圈的发展构建。
对于产品的应用，兆易创新说道，本次成功推出4Gb DDR4 GDQ2BFAA系列产品，面向机顶盒、电视、监控、网络通信、平板电脑、智慧家庭、车载影音系统等诸多领域，充分满足消费电子产品的主流需求。
据兆易创新之前透露的消息，公司最早将于2021年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证，测试成功后将进行大批量产。在此之前的2020年9月30日，兆易创新发布的《非公开发行A股股票预案》中介绍：该公司拟募集资金33.2亿元用于DRAM芯片研发及产业化项目。
对于内存领域，公司积极布局 DRAM 产品，存储芯片领域中 DRAM 等通用型产品市场规模较大，具有举足轻重的地位。公司积极整合产业资源，布局 DRAM 产品领域，进一步拓展并丰富公司产品线，提升公司的核心竞争力和行业影响力。
2020 年 6 月，公司顺利完成 DRAM 芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金之非公开发行股票事项，共募集资金 43.24 亿元，着手研发 1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM技术，设计和开发 DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片，目前相关研发工作正在有序推进。
2020 年7月24日，兆易创新在互动平台表示，公司DRAM芯片自主研发及产业化项目于2020年5月完成资金募集，现项目研发工作正在进行中。兆易创新认为，公司为一家芯片设计公司，主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。本次发行募集资金将用于 DRAM 芯片研发及产业化项目及补充流动资金。本次非公开发行完成及募集资金投资项目实施完毕后，公司在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富，在 NOR Flash、NAND Flash 基础上切入 DRAM 存储芯片。
2019年9月，兆易创新发布非公开发行股票预案，拟募集资金总额不超过人民币43亿元，用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金，以实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破。
2020 年 11 月，经与长鑫集成、合肥产投、睿力集成、大基金二期等相关方协商一致，公司出资 3亿元，参与存储器研发项目公司睿力集成的增资。目前，公司持有睿力集成约 0.85%股权。公司预计将于 2021 年上半年推出第一颗自有品牌的 DRAM 产品，主要面向 IPC、TV 等消费类利基市场。目前行业内利基型 DRAM 主流工艺节点为 3Xnm-20nm，公司即将推出的 DRAM 工艺节点是 19nm，具有较强的竞争力。
据介绍，兆易创新拟通过该项目研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。
近期，兆易创新持续推进合肥 12 英寸晶圆存储器研发项目合作。通过签署《框架采购协议》等系列协议，推进双方在 DRAM 产品销售、代工及联合开发工程端的紧密业务合作。2020 年，公司已在 IPTV、手机、TV、信创等领域，获得了 DRAM 客户的订单和信任，为后续长期合作打下了坚实基础。
作为 IC 设计企业，兆易创新自成立以来一直采取 Fabless 模式，专注于集成电路设计及最终销售环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。公司的经营模式是由产品本身的属性决定的，从经济效益考虑，公司目前做的产品多数集中在利基市场，更适合 Fabless 发展模式。
内存芯片的景气提升，也是兆易创新布局内存的关键，内存产品的发布也是未来兆易创新发展的关键事件，后续就看其产品的市场反响了。
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