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各种电子元器件上天元鑫

来源:未知 时间:2021-07-23 11:03 发布人:admin 阅读:
天元鑫介绍了在六种电子电路中常用的各种电子元件,正是由各种电子元器件组成的复杂电路。天元鑫精心整理最常用的六种电子元件。
各种电子元器件
一、电阻。
电阻器可以说是电路工程中最常用的电子元件,用R表示了导体对电流的阻滞作用。其作用主要有分流、限流、分压、偏压等。
电阻器的参数识别:常用的有色标法、值标法和数标法。
一般用色标法,带四个色环的第一环和第二环分别代表阻值的前两位数;第三环代表倍率;第四环代表误差。比方说,当四个色环依次是黄、橙、红、金,因第三环是红色,阻值范围是几点几kΩ的,按照黄、橙两色分别代表的数“4"和“3"3",其读数为4.3kΩ。第一圈是金色,说明误差是5%。
 
二、电容器。
电容器是用来存储电荷和电能的电路,用C表示,电容的主要特性是交流隔直流,电容对交流电的阻抗称为容抗,是电抗的一种(还有一种称为感抗),其主要特性是交流隔直流。电路中的电容主要有:耦合、滤波、谐振、旁路、补偿、分频等。
还可采用直标法、符号法、符号法等多种方法进行参数表示。
它的模型由四个部分组成,当然不适用于不适用于不适用于变型、变型、变型的电容器。
电容分类比较复杂,根据目前的统计分析,电容器分类有10种方法,具体见器件手册。
利用双电层原理和活性炭多孔化电极技术,超级电容器是一种大容量、大容量、高电容器。
 
三、晶体二极管。
一种具有非线性伏安特性的半导体器件,用D表示,其主要作用是单向导电。其核心是一块PN结,广泛应用于各种电子电路中。它的种类很多,按材料分为硅管和锗管;根据功能,有整流、发光、检波、稳压、开关、续流、旋转、肖特基二极管、硅功率二极管等。按接触型与结构点触型之分。前一种是电流小,后一种是大电流。
最大整流电流IF、最高反向工作电压、逆向工作电流、动态电阻、最高工作频率、电压和温度系数等参数。
正、负二个二极管,正端A叫阳极,负K;叫阴极,电流只能从阳极流向阴极。许多初学者都说二极管与半导体混淆,其实二极管与半导体是截然不同的,只能说二极管是一种半导体器件。
识别二极管:N极(负极)小功率二极管的N极(负极),在二极管的外表大部分是用一种色圈标出的,有些还用二极管专用符号表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标记为“P”、“N”来确定二极管极性。从引脚长度可以看出LED的正负极,长脚为正,短脚为负。当用数字万用表测量二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的笔接法正好相反。
 
四、感应器。
一种能把电能转换成磁能存储的装置,它的结构类似于变压器,电感器又称扼流器、电抗器、动态电抗器,用L表示。
分类法:根据感应方式可分为自感和互感。利用该方法,可以直接在PCB上蚀刻小电感,并对螺旋线轨迹进行蚀刻。小值电感也可以用同样的方法在集成电路中制造晶体管。无论采用哪种方法,基于实际约束的大部分电路都是一种称为“旋转子”的电路,它通过单个电容和活动元件表现出与电感元件相同的特性。
这种感应器与电容器的特性正好相反,具有阻止交流电通过而使直流电顺利通过的特性称为做通直阻交。
感应器在电路中主要起到滤波、振荡、延时、陷波、滤除信号、滤除噪声、稳定电流和抑制电磁干扰等作用。其最常用的作用是和电容一起组成LC滤波器。
其主要参数有:电感、容差、品质因数、分布电容等。
 
五、晶体三极管。
三极管,全称半导体三极管,又称双极型晶体管、晶体三极管,是一种用来控制电流的半导体器件,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体衬底上制成两个相距很近的PN结,两个PN结将整个半导体分为三部分,中间部分为基区,两侧为发射区和NPN两种排列方式。
三极管具有电流放大的作用,其实质就是三极管能够以极小的基极电流变化来控制集电极电流的大变化。它是三极管最基本、最重要的特性。在此基础上,我们把ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用“β”符号表示。在特定的三极管中,电流放大倍数是定值,但随着三极管工作时基极电流的变化而发生变化。
其主要参数为特征频率FT,电压电流,放大倍数,饱和电压,耗散功率等。
 
三极管可在三种状态下工作截止、放大和导通。三极管最常用的组成放大电路,基本放大电路是放大电路中最基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。采用双极半导体三极管输入电流控制输出电流的特性或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号放大。放大时要有适当的偏差,即发射结正偏,集电结反偏。设置输入回路时,应使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电流,从而形成三极管的电流控制关系,形成集电极电流的变化。并且输出电路的设置应保证三极管放大后的电流信号转换为所需的电量。
 
六、场效应晶体管
FET,简称FET,简称场效应管。JFET主要有两种类型(结合型)和金属-氧化物半导体场效应管(MOS-FET)。又称单极晶体管,是一种电压控制型半导体器件。
场效管(FET)是一种半导体装置,它利用电场效应控制输入回路电流,并以此命名。FET通过VGS(栅源电压)控制ID(漏极电流),用一句话来说,场效应管的工作原理用一句话说,“漏极-源极间流经沟道的ID(pn结)”,它的工作原理用一句话说,“漏极-源极间流经沟道的ID”。
效果:场效应管可以用于放大,因为场效应管放大器的输入阻抗很高,所以耦合电容可以容量更小,不需要使用电解电容器。具有很高的场效应管的输入阻抗变换,通常用来作为多级放大器的输入级做阻抗变换,可作为变阻源使用,方便地用作恒流源、作为电子开关等。
 
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