海力士HYNIX代理商将涉足3D闪存芯片

来源：未知 时间：2013-03-15 10:02 发布人：admin 阅读：

海力士HYNIX代理商将涉足3D闪存芯片。海力士的VSAT技术发展，主要是由CEO权五哲主导，SK海力士已经申请了有关专利，以确保在与对手的竞争中居于优势。并将抢占快速成长的网络消费性电子产品市场，如智能型手机与平板计算机等。

闪存芯片有一个简单的结构，可以拥有较高的密度与较好的储存能力，因为此芯片能耐用、较能承受机械冲击、温度变化与高压环境。但主要的芯片制造商需要进一步削减成本，以应对主要客户如苹果和其他个人电脑制造商日益增加的需求。

据韩国时报(The Korea Times)报导指出，韩国海力士HYNIX代理商将开始批量生产用于资料密集网络设备的先进3D闪存芯片，该公司还表示将使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术，并将成功完成测试的芯片样品交给客户。

SK海力士的首席技术执行长(CTO)朴成旭也表示，所有的半导体公司都将投入更多的精力在3D闪存储器芯片的研发，但SK海力士更致力于早日实现量产。SAMSUNG三星代理商预计将在大陆的西安工厂落成后，生产3D快闪存储器芯片。

一般而言，3D存储器技术包括了垂直闸极VG(Vertical Gate)、P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)、TCAT(Terabit Cell Array Transistor)以及VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)等，而NAND Flash的四大主要阵营，包括了三星、SK海力士、美光Micron与英特尔(Intel)，以及东芝(Toshiba)。

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