2014年三星存储器事业将以垂直堆叠为技术开发主轴,东芝亦于2014年第1季展开BiCS送样,可看出全球前两大NAND Flash厂于垂直堆叠NAND Flash发展脚步接近,且为因应制程微缩渐遇瓶颈,2014年此二家业者皆将加强发展NAND Flash垂直堆叠技术。全球存储器在20奈米以下更先进制程微缩渐遇瓶颈,主因除投资金额庞大外,尚需视上游设备大厂ASML于极紫外光(Extreme Ultraviolet;EUV)曝光设备开发进展所致。尽管全球DRAM市场现仅剩三家大厂,但市场竞争依然剧烈,龙头厂三星电子(Samsung Electronics)为维持其于存储器产业的领先地位,已订立新品抢先上市、突破技术瓶颈,及强化核心竞争力等三大策略。
首页产品中心代理品牌IC学院 IC资讯成功案例常见问题了解升邦 企业新闻联系我们企业招聘
Copyright © 2005-2010 All rights reserved 深圳市天元鑫半导体有限公司 备案号:粤ICP备19141741号 CNZZ()
地址:广东省深圳市宝安区福永镇桥头世峰大厦1010电话:0755-23599317
传真:0755-23599327邮箱:3548883566@qq.com技术支持:天元鑫
深圳专业的IC,MCU,电子元器件,单片机,美信代理商、ST代理商、TI代理商、华邦代理商、华大代理商、MPS芯源代理商、EON宜扬代理商、GD兆易创新代理商、ON代理商、NXP代理商、三星代理商、合泰代理商.你身边最优秀的IC|MCU|电子元器件|单片机供应商合作伙伴
升邦科技官方微信
扫一扫立即加关注